到2022年全球电子废料回收市场将涨至343.2亿美元

虽然世界人口中大约有三分之二的人口居住地的法律是鼓励或强制要求回收废弃电子产品的，但美国的大部分地区却处于剩余的三分之一之中--没有任何相关法律。11月中旬，2015亚洲电子废料回收大会在新加坡举行，会议认为，在美国，回收商处境艰难。美国电子废料回收缺乏国家立法管理SimsRecyclingSolutions

2月10日，据财联社援引外媒日经新闻报道，日本三菱材料将正式涉足从纯电动汽车（EV）等的废旧锂离子电池中回收稀有金属的业务。计划从2025年度开始，到2030年度将处理能力提高到每年6000吨。简单计算相当于4万多辆纯电动汽车的使用量。三菱材料将与金属回收利用行业的日本EnviproHoldings合作，开展从

摘要：通过详细分析日本三菱材料公司下属水泥工厂获得的废物处置许可证的种类、处置废物的范围、处置能力、处置业绩、污染物排放以及实际生产过程中的安全措施和社区互动，为国内水泥窑协同处置废物企业提供生产和管理参考。日本在经济发展过程中产生了大量的废物与副产品，严重影响了自然环境和国民健

三菱材料(Mitsubishi Materials)高管正在接受调查，关于可能的专业疏忽导致日本三重县硅加工厂重大爆炸造成的死伤。该爆炸发生在一月九日下午，当时热交换器外壳正在被清洗，造成四日市工厂五名员工死亡，另十二名员工受伤。根据《朝日新闻》日报，四日市消防部门和三重县警方调查该工厂，怀疑专业疏忽导致死亡。三菱材料公司总裁Hiroshi Yao在爆炸几个小时后的新闻发布会上就该事故公开道歉。Yao在发布会上表示，该工厂的安全措施可能需要进行审查。三菱材料还向日本媒体宣布，该公司董事会的成员将通过每月薪酬降低高达30%的方式承担责任。该公司还任命了新

日商三菱材料(MitsubishiMaterials)在日本三重县多晶硅厂10日宣布设备停工，引发关注。对此，台湾太阳能业者分别解读，目前主要多晶硅供料仍属供过于求，年前价格的上涨仅是不理性，而三菱材料多晶硅厂的停工是有助于上游年前加紧清库存，但仍要观察停工期间实际去化程度，总体价格仍回归市场机制。上游多晶硅供料现货飙涨，主要在农曆年前存在一波来自中国大陆市场的扫货，台湾太阳能业者早先指出，现货价格近期受人为炒作而有非理性飙涨，然而合约价格仍相对稳定，研判炒作的现货价格能在农曆年前稳定。然而，在日商三菱材料10日发出新闻稿宣佈设备停工与公司指库存仍有约

日商三菱材料(Mitsubishi Materials) 旗下位于日本三重县的四日市多晶硅工厂于9日发生爆炸起火事件(查看本站早前报导)，该座工厂主要生产作为硅片原料的“多晶硅”。据日经新闻报导，虽然生产设备本身的损害程度轻微，但为了确保作业的安全性，该座多晶硅工厂生产设备自10日起将暂时停工，复工日目前仍未定，目前该工厂的多晶硅库存约有1个月份量。报导指出，四日市工厂多晶硅年产能为2,800吨，其中约7成产量供应给硅片大厂SUMCO，生产供半导体使用的硅片;而三菱材料美国工厂也生产多晶硅、年产能为1,500吨，故若因停工时间

据悉，日商三菱材料(Mitsubishi Materials)昨(9)日发布新闻稿宣布，旗下位于日本三重县的四日市工厂于9日13点05分(GMT+8)发生爆炸事件，造成5人死亡、12人受伤。该座四日市工厂主要生产作为硅片原料的“多晶硅”，现阶段尚不清楚该起事故将对顾客端造成怎样的影响。据时事通信社指出，该座四日市工厂的多晶硅年产能为2,800吨，所生产的产品7成供应给全球第2大硅片厂商SUMCO。三菱材料表示，该座四日市工厂部份产线将自10日起停止生产，惟因爆炸现场离产线有段距离，故设备本身的损害轻微。日经表示，因SUMCO位

道康宁公司宣布，将投资约2.4亿美元购买各三菱综合材料株式会社分别在赫姆洛克HemlockLLC公司和Hemlock半导体公司12.25％的股份，以增加其在Hemlock半导体有限责任公司和Hemlock半导体公司的所有者权益。此次收购使道康宁在Hemlock公司有更大的自主权，旨在产生更多的盈利和现金流。道康宁还同意在未来几周内购买Hemlock半导体PTE公司中三菱材料的12.25％的全部股权。通过收购，道康宁拥有Hemlock半导体有限责任公司100％股份和Hemlock半导体公司80.5％的福分。信越半导体有限公司仍持有Hemlock半导体公司

三菱材料开发出了用于薄膜硅型太阳能电池电极的Ag(银)纳米墨、ITO(氧化铟锡)纳米墨及SiO2墨。这些墨系将纳米颗粒分散到墨中制成，涂布在薄膜硅型太阳能电池的Si层上后，可以形成名为背面电极的亚微米级厚度的薄膜。其光电转换效率可与原来的真空成膜相当。薄膜硅型太阳能电池的优点有：硅用量可减至结晶硅型的1/100左右、能量偿付期(所发电力达到制造该产品所需电力的运行时间)短、与化合物半导体型太阳能电池相比不容易受Te(碲)等原料用量的限制等。不过，对太阳能电池厂商而言，引进多种真空成膜装置的初期投资成本高是一个很大的问题，需要通过转变成涂布成膜工艺来大幅

三菱材料开发出了用于薄膜硅型太阳能电池电极的Ag(银)纳米墨、ITO(氧化铟锡)纳米墨及SiO2墨。这些墨系将纳米颗粒分散到墨中制成，涂布在薄膜硅型太阳能电池的Si层上后，可以形成名为背面电极的亚微米级厚度的薄膜。其光电转换效率可与原来的真空成膜相当。薄膜硅型太阳能电池的优点有：硅用量可减至结晶硅型的1/100左右、能量偿付期(所发电力达到制造该产品所需电力的运行时间)短、与化合物半导体型太阳能电池相比不容易受Te(碲)等原料用量的限制等。不过，对太阳能电池厂商而言，引进多种真空成膜装置的初期投资成本高是一个很大的问题，需要通过转变成涂布成膜工艺来大幅