来源:中国能源报2013-11-27
如成功开发48片生产型mocvd样机,生产的功率型led芯片各项指标良好;自主研发出适用于氮化物生长的hvpe设备,采用激光剥离和自分离技术获得高质量2英寸自支撑gan衬底。