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光离子化传感器(PID):
PID的温度漂移主要由电子元器件的温度漂移带来。气体物质的电离能几乎不受温度变化的影响。这些电子元器件包括运放、电阻、电容、变压器线圈。
需要注意的是,当温度低到一定程度,紫外灯(UVLamp)就会点不亮。更致命的是,紫外灯的两个部件——灯管和透光片会因为热膨胀系数不同而发生裂缝。这样紫外灯就因为漏气而报废了。
金属氧化物半导体传感器(MOS):
MOS传感器的温漂是相当大的,这也是MOS传感器不适合工业安全,而只适用于民用环境的主要原因之一。您可能会说,温漂大,做温度补偿不就可以了吗?做过工程师的朋友们都会清楚,让一只温漂超过±30%的传感器在高低温下做到±3%的精度,几乎是一件不可能的事情。
在民用环境,温度变化不大,如10℃-40℃,而且要求精度不高,仅仅要求报警的情况下,MOS的确是不错的低成本选择。
如何消除环境温度带来的影响?
催化燃烧传感器(LEL):
一般不需要温度补偿。LEL传感器在研发的过程中,就已经考虑到了温漂。从-20℃到50℃,零点和量程点有1%-3%LEL的温漂,用户也是可以接受的。
电化学传感器(EC):
需要做温度补偿,一般用一元二次方程或一元三次方程就能解决。自变量是温度,单位是℃,因变量是归一化后的温度系数,单位是%。
非色散红外传感器(NDIR):
NDIR消除温度的影响办法有几种,成本都比较高。第一种是公式法,第二种是查表法,第三种是恒温法。
光离子化传感器(PID):
需要做温度补偿,和EC传感器类似,一般采用一元二次方程和一元三次方程就能解决。
金属氧化物半导体传感器(MOS):
必须做温度补偿,但需要注意的是,即使经过温度补偿,精度也不会很高。因为MOS传感器的一致性不好,用统一的温度补偿公式恐怕难以达到精度要求。最好的办法是逐个MOS传感器进行补偿,用一元二次方程,或用查表法。当然,这两种方法成本也是比较高的。
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