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2.1.4Hg0初始质量浓度对Hg0去除效率的影响
图5所示为基础模拟气体Hg0、O2、N2氛围条件下电压和Hg0初始质量浓度对Hg0去除效率的影响曲线。实验中Hg0初始质量浓度分别为70μg/m3、100μg/m3、150μg/m3、190μg/m3、240μg/m3,O2体积流量为250mL/min。
由图5可以看出:在不同电压条件下,Hg0去除效率随Hg0初始质量浓度的增加而均呈现下降趋势;这主要是因为电压条件固定不变时,高能电子与活性自由基粒子的数量一定,随着Hg0初始质量浓度的逐渐增大,Hg0的数量相对增多,Hg0与活性自由基粒子的碰撞几率就减小,此时产生的活性自由基粒子不足以充分氧化Hg0,从而使Hg0去除效率降低。
2.1.5SO2体积分数对Hg0去除效率的影响
图6所示为模拟气体Hg0、O2、N2、SO2氛围条件下SO2体积分数对Hg0去除效率的影响曲线。实验中SO2体积分数分别为0×10−6、70×10−6、175×10−6、362×10−6、675×10−6,Hg0初始质量浓度为100μg/m3,O2体积流量为250mL/min,电压为16kV。
由图6可以看出:在其他反应条件不变的情况下,随着SO2体积分数的增加,Hg0去除效率逐渐降低,在SO2体积分数达到675×10−6时,Hg0去除效率仅为10%;这主要是因为O、O3与SO2反应过程中会减少O、O3的生成数量,从而使Hg0与活性自由基粒子的碰撞几率减少,导致Hg0去除效率降低;因此Hg0和SO2对低温等离子体放电过程中生成的O和O3存在竞争反应。可能存在的反应机制如式(7)—(9)所示:
2.1.6NO体积分数对Hg0去除效率的影响
图7所示为模拟气体Hg0、O2、N2、NO氛围条件下NO体积分数对Hg0去除效率的影响曲线。实验中NO体积分数分别为0×10−6、121×10−6、352×10−6、425×10−6、672×10−6,Hg0初始质量浓度为100μg/m3,O2体积流量为250mL/min,电压为16kV。
由图7可以看出:在其他反应条件不变的情况下,Hg0去除效率随NO体积分数的增加而逐渐降低;在NO体积分数达到672×10-6时,Hg0去除效率下降到15%;这主要是由于•O、O3与NO反应过程中会减少生成的•O、O3数量,从而使Hg0与活性自由基粒子的碰撞几率减少,导致Hg0去除效率降低;因此Hg0和NO对低温等离子体放电过程中生成的•O和O3存在竞争反应。可能存在的反应机制如式(10)—(13)所示:
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